[发明专利]特征尺寸收缩方法

摘要

本发明涉及半导体技术领域，公开了一特征尺寸收缩方法，采用CO替代传统的碳氟化合物以及含H的碳氟化合物气体，作为特征尺寸收缩方法中的高分子聚合物气体，在低频射频功率下进行等离子体刻蚀，从而有效控制特征尺寸收缩过程中分子链长度和等离子体能量、密度，能够控制等离子体刻蚀形成的聚合物分子链长度，避免了等离子体刻蚀过程中长分子链聚合物的形成。同时，该特征尺寸收缩方法的等离子体刻蚀工艺在高压环境下进行，能够进一步改善刻蚀过程中聚合物沉积的物理轰击现象，从而有效避免条纹现象的出现，改善特征尺寸收缩后刻蚀结构的线边缘粗糙度，进一步提高工艺质量，实现特征尺寸的有效、高质量收缩。

主权项

一种特征尺寸收缩方法，包括步骤：提供半导体基底，所述半导体基底表面覆盖有图形化的光阻材料层；将所述半导体基底置于等离子体刻蚀腔室内；其特征在于：以所述图形化的光阻材料层为掩膜，对刻蚀气体为饱和小分子碳氟气体、含N气体以及CO的混合气体等离子化，并采用等离子化的上述气体对半导体基底进行刻蚀。