[发明专利]一次性可编程存储器单元及其制造方法

摘要

提供了一种一次性可编程（OTP）存储器单元，其包括具有第一导电类型的阱；在阱上形成的并且包括第一和第二熔丝区域的栅绝缘层；在栅绝缘层上形成的具有第二导电类型的栅电极，该第二导电类型与第一导电类型电荷相反；在阱中形成的并且被布置为包围第一和第二熔丝区域的第二导电类型的结区域；以及在第一熔丝区域与第二熔丝区域之间的阱中形成的隔离层。

主权项

一种一次性可编程存储器单元，包括：具有第一导电类型的阱；栅绝缘层，其形成在所述阱上并且包括第一熔丝区域和第二熔丝区域；具有第二导电类型的栅电极，其形成在所述栅绝缘层上，所述第二导电类型与所述第一导电类型电荷相反；具有第二导电类型的结区域，其形成在所述阱中并且被布置为包围所述第一熔丝区域和第二熔丝区域；以及隔离层，其形成在所述第一熔丝区域与所述第二熔丝区域之间的所述阱中，其中，所述隔离层与所述第一熔丝区域和所述第二熔丝区域间隔开。