[发明专利]一种用于NAND FLASH的均衡损耗实现方法

摘要

本发明公开一种用于NAND FLASH的均衡损耗实现方法，该方法包括局部均衡实现方法及全局均衡实现方法，该方法根据NAND FLASH总块数及系统性能需求，按照分配为LOG块，针对每个LOG块的擦写次数，优先分配擦写次数最低的LOG块作为新数据的存储块以实现LOG块内的局部均衡实现方法；并通过将数据块中擦写次数相对较少的数据块记录到COLD-DATA-POOL中，判断比较等步骤实现全局均衡，本方法可有效避免因COLD-DATA导致的对NAND FLASH造成的擦除次数不均衡，可有效提高NAND FLASH的使用寿命。

主权项

一种用于NAND FLASH的均衡损耗实现方法，能够实现局部的均衡损耗，其特征在于包括以下步骤：(1)将NAND FLASH内的块BLOCK划分为LOG块区及DATA块区，实时记录LOG块区及DATA块区中所有块的擦写次数；(2)当有新数据需要向某个DATA块写入或更新时，将此DATA块作为原DATA块，若存在与原DATA块对应的LOG块且此LOG块可用，则直接将此LOG块作为存储DATA块写入或更新数据；若存在与原DATA块对应的LOG块但此LOG块不可用，或者不存在原DATA块对应的LOG块，则在LOG块区中选用擦除次数最少的可用LOG块做为存储DATA块写入或更新数据；若所有LOG块均不可用或者新数据已经写入或更新完毕时，进行存储DATA块与原DATA块的数据合并操作；(3)将合并操作后的块作为新的DATA块，将原DATA块及存储DATA块进行擦除操作，将擦除后的原DATA块及存储DATA块作为新的LOG块使用；(4)更新所有块的擦写次数。