[发明专利]一种场发射阴极的处理方法

摘要

本发明提供一种InGaAlN纳米线场发射阴极的制备方法，包括：先通过CVD的方法在沉积了一层Au的Si衬底上生长InGaAlN样品；把盛有Si衬底和高纯金属Ga、Al和In的钨舟放入管式炉内的石英管中；随后，用机械泵对石英管抽气，把石英管的温度升到某一固定值；再通NH3和Ar的混合气体；自然冷却到室温。

主权项

一种InGaAlN纳米线场发射阴极的制备方法，包括：先通过CVD的方法在沉积了一层Au的Si衬底上生长InGaAlN样品；沉积Au薄层前，Si片先在甲苯、丙酮、乙醇中经过超声清洗，再用去离子水冲洗；把盛有Si衬底和高纯金属Ga(99.999％)、Al(99.999％)和In(99.999％)的钨舟放入管式炉内的石英管中，顺着气流的方向依次放金属In、金属Ga、金属铝和Si衬底；Si衬底放置在气流的下端，和金属Ga的距离为3mm；随后，用机械泵对石英管抽气，当石英管中的真空度达到2×10‑1Torr时，把石英管的温度升到某一固定值；再通NH3(99.999％)和Ar(99.999％)的混合气体，使炉内的温度保持在这一固定值，NH3气和Ar气的的流量固定在某一值，管子的气压维持在3.5Torr，生长30min；自然冷却到室温。