[发明专利]一种场发射阴极的处理方法无效
| 申请号： | 201210595720.8 | 申请日： | 2012-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN103065909A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 纪成友;刘志龙 | 申请（专利权）人： | 青岛红星化工厂 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 266000 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种HfNxOy纳米线场发射阴极的制备方法，包括：Si衬底在丙酮和酒精中分别经超声清洗15min，然后用去离子水冲洗；采用高纯Ar作为溅射气体，高纯N2作为反应气体；真空室本底压强1.5×10-1Pa，溅射沉积过程的压强为1.5Pa，溅射时所加电压为400V，电流为0.4A，溅射时间为30min，溅射HfNxOy；生成后的样品再在管式炉中，不同温度下，NZ气氛中退火2小时。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发射 阴极 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种HfNxOy纳米线场发射阴极的制备方法，包括：Si衬底在丙酮和酒精中分别经超声清洗15min，然后用去离子水冲洗；采用高纯Ar(99，999％)作为溅射气体，高纯N2(99.999％)作为反应气体；真空室本底压强1.5×10‑1Pa，溅射沉积过程的压强为1.5Pa，溅射时所加电压为400V，电流为0.4A，溅射时间为30min，溅射HfNxOy；生成后的样品再在管式炉中，不同温度下，NZ气氛中退火2小时。
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