[发明专利]基于高电流范围磁阻的电流传感器有效
| 申请号： | 201210595876.6 | 申请日： | 2012-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN103134967A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | P·A·小霍曼 | 申请（专利权）人： | 霍尼韦尔国际公司 |
| 主分类号： | G01R15/18 | 分类号： | G01R15/18;G01R19/25 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 曲宝壮;卢江 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是基于高电流范围磁阻的电流传感器。一种系统包括磁阻(MR)桥电路、磁场传感器和可调负载。MR桥电路接收供电电压，并且生成指示磁场的强度/方向的输出电压。MR桥电路包括串联连接在供电节点和接地节点之间的第一和第二MR元件，以及串联连接在供电节点和接地节点之间的第三和第四MR元件。所述输出电压在第一和第二MR元件公共的第一节点以及第三和第四MR元件公共的第二节点之间生成。所述传感器基于磁场的强度/方向生成信号。所述可调负载与MR元件之一并联连接，并且具有基于由传感器生成的信号控制的电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 电流 范围 磁阻 电流传感器 | ||
【主权项】：
一种系统，包括：磁阻(MR)桥电路，被配置成接收供电节点和接地节点之间的供电电压，并且被配置成生成指示磁场的强度和方向的输出电压，所述MR桥电路包括：串联连接在供电节点和接地节点之间的第一和第二MR元件；和串联连接在供电节点和接地节点之间的第三和第四MR元件，其中所述输出电压在第一和第二MR元件公共的第一节点以及第三和第四MR元件公共的第二节点之间生成；磁场传感器，被配置成基于磁场的强度和方向生成信号；以及第一可调负载，与MR元件之一并联连接，其中所述第一可调负载具有基于由磁场传感器生成的信号控制的第一电阻。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于霍尼韦尔国际公司，未经霍尼韦尔国际公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210595876.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：位置检测装置及位置检测方法
- 下一篇：网元间的1588时间误差检测方法及装置
