[发明专利]通过负性显影形成光刻图形的方法有效
申请号: | 201210597633.6 | 申请日: | 2012-11-05 |
公开(公告)号: | CN103091978A | 公开(公告)日: | 2013-05-08 |
发明(设计)人: | Y·C·裴;孙纪斌;李承泫;朴钟根;C·安德斯 | 申请(专利权)人: | 罗门哈斯电子材料有限公司 |
主分类号: | G03F7/00 | 分类号: | G03F7/00;G03F7/32;G03F7/004;G03F7/038 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陈哲锋 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 通过负性显影形成光刻图形的方法。提供了一种通过负性显影形成光刻图形的方法,包含:(a)提供包含一个或多个待图形化的层的基材;(b)在所述一个或多个待图形化的层上施加光致抗蚀剂组合物层;(c)在光化辐射下图形化曝光所述光致抗蚀剂组合物层;(d)在曝光后烘烤过程中加热曝光后的光致抗蚀剂组合物层;和(e)用有机溶剂显影液显影曝光后烘烤的光致抗蚀剂组合物层,从而形成光致抗蚀剂图形,其中,所述光致抗蚀剂组合物包含一种聚合物。其包含以下通式(I)的单元: | ||
搜索关键词: | 通过 显影 形成 光刻 图形 方法 | ||
【主权项】:
1.一种通过负性显影形成光刻图形的方法,包含:(a)提供包含一个或多个待图形化的层的基材;(b)在所述一个或多个待图形化的层上施加光致抗蚀剂组合物层;(c)在光化辐射下图形化曝光所述光致抗蚀剂组合物层;(d)在曝光后烘烤过程中加热曝光后的光致抗蚀剂组合物层;和(e)用有机溶剂显影液显影曝光后烘烤的光致抗蚀剂组合物层,从而形成光致抗蚀剂图形。其中,所述光致抗蚀剂组合物包含一种聚合物,其包含以下通式(I)的单元:其中:R1表示氢或C1-C3烷基;a表示1-3的整数;b表示0或1。
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