[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 201210597892.9 | 申请日: | 2009-03-25 |
公开(公告)号: | CN103594526A | 公开(公告)日: | 2014-02-19 |
发明(设计)人: | 米田修二;大石正人;篠原保;渡边信二;宫田浩司;深江诚二;山内健二;后藤阳一;马场雅和 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | H01L31/0203 | 分类号: | H01L31/0203 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 陈桂香;褚海英 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明公开的半导体装置包括:基板,在所述基板上形成有配线层、电极焊盘和光电二极管的光接收区域,所述配线层位于所述光接收区域的周围,所述电极焊盘位于所述配线层上;在所述基板的上表面上形成的树脂层,所述树脂层包括位于所述光接收区域的周围的至少一个凹槽,并保留在所述基板的所述上表面上的除所述光接收区域、所述至少一个凹槽和所述电极焊盘之外的区域上,且所述树脂层具有耐热和遮光能力,其中,在所述光接收区域上方存在有树脂膜。结果,能够防止由于模塑树脂流到光接收区域中而导致的PDIC的感光度的降低。因此,能够提高产率。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,其包括:基板,在所述基板上形成有配线层、电极焊盘和光电二极管的光接收区域,所述配线层位于所述光接收区域的周围,所述电极焊盘位于所述配线层上;在所述基板的上表面上形成的树脂层,所述树脂层包括位于所述光接收区域的周围的至少一个凹槽,并保留在所述基板的所述上表面上的除所述光接收区域、所述至少一个凹槽和所述电极焊盘之外的区域上,且所述树脂层具有耐热和遮光能力,其中,在所述光接收区域上方存在有树脂膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的