[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201210597892.9 申请日: 2009-03-25
公开(公告)号: CN103594526A 公开(公告)日: 2014-02-19
发明(设计)人: 米田修二;大石正人;篠原保;渡边信二;宫田浩司;深江诚二;山内健二;后藤阳一;马场雅和 申请(专利权)人: 索尼株式会社
主分类号: H01L31/0203 分类号: H01L31/0203
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 陈桂香;褚海英
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明公开的半导体装置包括:基板,在所述基板上形成有配线层、电极焊盘和光电二极管的光接收区域,所述配线层位于所述光接收区域的周围,所述电极焊盘位于所述配线层上;在所述基板的上表面上形成的树脂层,所述树脂层包括位于所述光接收区域的周围的至少一个凹槽,并保留在所述基板的所述上表面上的除所述光接收区域、所述至少一个凹槽和所述电极焊盘之外的区域上,且所述树脂层具有耐热和遮光能力,其中,在所述光接收区域上方存在有树脂膜。结果,能够防止由于模塑树脂流到光接收区域中而导致的PDIC的感光度的降低。因此,能够提高产率。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
一种半导体装置,其包括:基板,在所述基板上形成有配线层、电极焊盘和光电二极管的光接收区域,所述配线层位于所述光接收区域的周围,所述电极焊盘位于所述配线层上;在所述基板的上表面上形成的树脂层,所述树脂层包括位于所述光接收区域的周围的至少一个凹槽,并保留在所述基板的所述上表面上的除所述光接收区域、所述至少一个凹槽和所述电极焊盘之外的区域上,且所述树脂层具有耐热和遮光能力,其中,在所述光接收区域上方存在有树脂膜。
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