[发明专利]光图案曝光方法

摘要

本发明涉及一种光图案曝光方法，半色调相移掩模及半色调相移掩模坯料。光图案曝光方法是通过半色调相移掩模向抗蚀膜照射ArF准分子激光。该掩模包括透明衬底和包含过渡金属、硅、氮和氧的材料的半色调相移膜的图案，且所述材具有0.18‑0.25的原子比(Met/Si)，25‑50原子％的氮含量，以及5‑20原子％的氧含量。该掩模可用ArF准分子激光以至少10kJ/cm2的累积剂量照射。

主权项

一种光图案曝光方法，其包括用ArF准分子激光作为光源通过光掩模将光图案照射至抗蚀膜，其中所使用的光掩模是用ArF准分子激光以至少10kJ/cm2的累积剂量照射过的半色调相移掩模，所述半色调相移掩模包括透明衬底和材料的半色调相移膜的图案，该材料包含过渡金属、硅、氮和氧，和所述材料具有0.18至0.25的过渡金属和硅的原子比(Met/Si)，25原子％至50原子％的氮含量，以及5原子％至20原子％的氧含量，从远离衬底的膜表面延伸至10nm深度的最外表面区域除外，其中通过在氟基气体气氛下引导高能照射束处理半色调相移掩模用于缺陷修正。