[发明专利]自参考MRAM单元以及用于写入该单元的方法有效
| 申请号： | 201210599132.1 | 申请日： | 2012-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN103311432A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | I·L·普雷比亚努;K·麦凯 | 申请（专利权）人： | 克罗科斯科技公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/02;H01L43/12;G11C11/15 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 马丽娜;李浩 |
| 地址： | 法国格*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 自参考MRAM单元以及用于写入该单元的方法。本公开涉及一种用于写入包括磁隧道结的自参考MRAM单元的方法，该磁隧道结包括：存储层，该存储层包括具有第一存储磁化的第一铁磁层，具有第二存储磁化的第二铁磁层，以及分离该第一和第二铁磁层的非磁性耦合层；感测层，其具有自由感测磁化；以及被包括在感测层和存储层之间的隧道势垒层；第一和第二铁磁层被布置成使得存储层和感测层之间的偶极耦合基本上没有；该方法包括：通过在磁隧道结中传递自旋极化电流来转换第二铁磁磁化；其中，自旋极化电流在感测层中传递时根据感测磁化的方向被极化。该MRAM单元可以在低功耗下被写入。 | ||
| 搜索关键词： | 参考 mram 单元 以及 用于 写入 方法 | ||
【主权项】：
用于写入包括磁隧道结的自参考MRAM单元的方法，该磁隧道结包括：存储层，该存储层包括具有第一存储磁化的第一铁磁层，具有第二存储磁化的第二铁磁层，以及分离该第一和第二铁磁层的非磁性耦合层；感测层，其具有自由感测磁化；以及被包括在感测层和存储层之间的隧道势垒层；第一和第二铁磁层被布置成使得存储层和感测层之间的偶极耦合基本上没有；该方法包括：通过在磁隧道结中传递自旋极化电流来转换第二铁磁磁化；自旋极化电流在感测层中传递时根据感测磁化的方向被极化。
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