[发明专利]光刻胶图案的修整方法有效
| 申请号： | 201210599257.4 | 申请日： | 2012-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103186038A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | C-B·徐 | 申请（专利权）人： | 罗门哈斯电子材料有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈哲锋 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 修整光刻胶图案的方法。方法包括：在光刻胶图案上涂覆光刻胶修整复合物，其中修整复合物包含基质聚合物、具有氟取代基的自由酸和溶剂，修整复合物没有交联剂。加热被涂覆的半导体衬底以导致在光刻胶图案的表面区域中的抗蚀剂基质聚合物的极性的改变；采用显影溶液接触光刻胶图案以去除光刻胶图案的表面区域。方法在半导体器件的制造中形成非常精细的光刻特征中有特别的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 图案 修整 方法 | ||
【主权项】：
一种修整光刻胶图案的方法，所述方法包括顺序次序的以下步骤：(a)提供半导体衬底，在其上表面上具有一层或更多层要被图案化的层；(b)在所述一层或更多层要被图案化的层上形成光刻胶图案，其中所述光刻胶图案包括多个特征且由化学增强的光刻胶组合物形成，所述光刻胶图案包含具有酸不稳定基团的基质聚合物；(c)在所述光刻胶图案上涂覆光刻胶修整组合物，其中所述修整组合物包含基质聚合物、具有氟取代基的游离酸和溶剂，且其中所述修整组合物没有交联剂；(d)加热被涂覆的半导体衬底，由此导致在光刻胶图案的表面区域中的光刻胶基质聚合物的极性的改变；以及(e)采用显影溶液接触所述光刻胶图案以去除所述光刻胶图案的所述表面区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于罗门哈斯电子材料有限公司，未经罗门哈斯电子材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210599257.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种羊毛衫数码印花工艺
- 下一篇：一种高性能均匀革基布的制备方法
