[发明专利]P型石墨烯基晶体管

摘要

本发明公开了一种P型石墨烯基晶体管。石墨烯基热空穴晶体管包括衬底上的发射极层、集电极层、和包含石墨烯层的基极层，其中在基极层和发射极层之间布置发射极势垒层，以及在基极层和集电极层之间并邻近石墨烯层布置集电极势垒层。

主权项

一种石墨烯热空穴晶体管，包括：堆叠层，包括发射极层、集电极层和基极层，所述基极层包含石墨烯层，其中所述堆叠层还包括布置在所述基极层和所述发射极层之间的发射极势垒层，和布置在所述基极和所述集电极层之间并邻近所述石墨烯层的集电极势垒层；所述发射极层和所述集电极层都是由具有p型导电类型的材料制成，或所述发射极层由具有p型导电类型的材料制成且所述集电极层由具有导电性的金属材料制成；并且其中所述堆叠层配置为允许空穴电流沿从所述发射极层穿过所述基极层再到所述集电极层的堆叠方向穿过所述堆叠层，在施加的输入电压设置为所述基极层的基极电势低于所述发射极层的发射极电势且设置为所述集电极层的集电极电势低于所述基极电势的情况下，其中所述的空穴电流的量由所述基极电势和所述发射极电势之间的电势差所控制，其中所述集电极势垒层包括位于所述基极层和所述集电极之间的界面处的电介质层，所述集电极势垒层还包括由电介质材料制成的组分梯度层，并且该组分梯度层布置为邻近所述电介质层。