[实用新型]一种利用全内反射多边形谐振腔选模的半导体激光器有效
| 申请号： | 201220004011.3 | 申请日： | 2012-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN202405615U | 公开（公告）日： | 2012-08-29 |
| 发明（设计）人： | 武林;王磊;郭山溧;何建军 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 林怀禹 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种利用全内反射多边形谐振腔选模的半导体激光器。包括多边形谐振腔、有源FP谐振腔和耦合器；所述多边形谐振腔与FP谐振腔之间通过耦合器相互耦合。多边形谐振腔通过全内反射的原理实现光波在多边形谐振腔顶点处的转向，从而得到谐振回路，多边形谐振腔的每个边都和FP谐振腔一样采用浅刻蚀工艺，减小了损耗；多边形谐振腔充当滤波器的功能，与FP谐振腔相互耦合进行选模，实现激光器的单模工作。本实用新型无需制作光栅，结构简单，这种利用全内反射多边形谐振腔选模的设计可以用来实现无跳模式调谐或者数字式调谐的半导体激光器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 反射 多边形 谐振腔 半导体激光器 | ||
【主权项】：
一种利用全内反射多边形谐振腔选模的半导体激光器，其特征在于：包括多边形谐振腔、有源FP谐振腔(2)和耦合器(3)；多边形谐振腔的所有顶点处均为深刻蚀全内反射面，耦合器(3)的第一端口(31)及第二端口(32)串接在多边形谐振腔靠近有源FP谐振腔(2)的一条边中，耦合器(3)的第三端口(33)和第四端口(34) 串接在有源FP谐振腔(2)中，沿有源FP谐振腔(2)方向，多边形谐振腔中对称设有波长调谐区，多边形谐振腔设置在有源FP谐振腔(2)的一侧。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学，未经浙江大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201220004011.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电动汽车的高压配电盒
- 下一篇：一种二极两用插头
