[实用新型]一种PIN-FET光接收组件有效
申请号: | 201220013715.7 | 申请日: | 2012-01-12 |
公开(公告)号: | CN202384374U | 公开(公告)日: | 2012-08-15 |
发明(设计)人: | 黄章勇;胡思强;娄永国;刘兆兵 | 申请(专利权)人: | 深圳市飞康技术有限公司;江西飞信光纤传感器件有限公司 |
主分类号: | H01L31/12 | 分类号: | H01L31/12;H01L31/024;G01C19/72 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518055 广东省深圳市南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型提供一种PIN-FET光接收组件,包括一封装外壳,该外壳内设有:一光电二极管芯片PD、一温度传感器、一热沉、一信号光输入光纤、一半导体致冷器和一跨阻抗放大器集成芯片,所述温度传感器与一外部控制电路连接,所述跨阻抗放大器集成芯片输入端与所述光电二极管芯片PD阴极连接,PD阳极接地;所述热沉底部安装半导体致冷器,所述光电二极管芯片PD、温度传感器、信号光输入光纤和跨阻抗放大器集成芯片固定于所述热沉表面,所述光电二极管芯片PD将输入光信号转换为电信号后,经所述跨阻抗放大器集成芯片放大输出。由于跨阻抗放大器集成芯片代替传统分离元件,且带有致冷器,其接收灵敏度高,能保证在恒温状态下工作,参数稳定,可靠性好。 | ||
搜索关键词: | 一种 pin fet 接收 组件 | ||
【主权项】:
一种PIN‑FET光接收组件,包括一封装外壳,其特征在于,该外壳内设有:一光电二极管芯片PD(1)、一温度传感器(2)、一热沉(3)、一信号光输入光纤(4)、一半导体致冷器(5)和一跨阻抗放大器集成芯片(6),所述温度传感器(2)与一外部控制电路连接,所述跨阻抗放大器集成芯片(6)输入端与所述光电二极管芯片PD(1)阴极连接,PD阳极接地;所述热沉(3)底部安装半导体致冷器(5),所述光电二极管芯片PD(1)、温度传感器(2)、所述光纤(4)和跨阻抗放大器集成芯片(6)固定于所述热沉(3)表面,所述光电二极管芯片PD(1)将输入光信号转换为电信号后经所述跨阻抗放大器集成芯片(6)放大输出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的