[实用新型]用于熔化硅的坩埚有效
| 申请号： | 201220018452.9 | 申请日： | 2012-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN202543394U | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 阿肖克·库马尔·辛哈;雷平·赖;吴昆旭 | 申请（专利权）人： | 上澎太阳能科技(嘉兴)有限公司 |
| 主分类号： | C30B35/00 | 分类号： | C30B35/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠 |
| 地址： | 314031 浙江省嘉兴*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及用于熔化硅的坩埚，其包括坩埚壁和坩埚底部，所述坩埚壁和坩埚底部的内表面上均包括有保护膜，其中所述坩埚底部包括有多个可容纳仔晶并防止仔晶浮动的口袋。通过在坩埚壁和坩埚底部的内表面上设置有保护膜的坩埚的底部设置口袋，可以使得在熔化的硅流到坩埚底部时，仔晶不会受到影响而发生浮动，从而使得熔化的硅在凝固过程中很大程度上根据仔晶的晶体取向，生产单晶硅。此外，在口袋的内表面上也设置有保护膜，可以隔离硅熔体与坩埚的直接接触，不仅可以解决在口袋内的硅熔体与坩埚之间的粘滞问题，使得晶体硅锭容易地从坩埚中取出，还可以防止熔化的硅不与坩埚本体的制作材料或材料中包含的杂质起反应。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 熔化 坩埚 | ||
【主权项】：
用于熔化硅的坩埚，其包括坩埚壁和坩埚底部，所述坩埚壁和坩埚底部的内表面上均包括有保护膜，其特征在于，所述坩埚底部包括有多个可容纳仔晶并防止仔晶浮动的口袋。
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