[实用新型]一种解决硅片表面被熔渣损伤的气幕隔离装置

摘要

本实用新型属于半导体硅片的生产技术，提出的一种解决硅片表面被熔渣损伤的气幕隔离装置。具有压缩空气导向套（9），所述的压缩空气导向套（9）套置在真空吸盘（6）的外侧，为直径大于真空吸盘最大直径的空心圆柱体，且压缩空气导向套（9）与真空吸盘（6）之间具有用以使压缩空气Ⅱ（7）穿过的间隙；所述压缩空气导向套空心圆柱体的上端开口；所述压缩空气导向套（9）的上端面与硅片（5）的下端面之间具有用于使压缩空气Ⅱ穿过的缝隙；用以将压缩空气Ⅰ由硅片下表面的中心吹向边缘的压缩空气Ⅱ（7）的入口位于压缩空气导向套（9）的下端面上。本实用新型解决了高温硅渣溅到硅片表面的问题，消除了硅片表面由于高温硅渣造成的凹坑。

主权项

一种解决硅片表面被熔渣损伤的气幕隔离装置，气幕隔离装置设置在硅片（5）的下部；所述的硅片（5）由吸附在硅片下端面中心位置的真空吸盘（6）支撑；在所述硅片（5）的上部设置用于切割硅片的激光头（1），中心部位具有激光束（2）的激光头（1）其下端位于硅片切割轨迹（8）的上部，在硅片切割轨迹（8）处具有用以将熔化硅渣吹走的压缩空气Ⅰ（3）的通道；其特征在于：所述的气幕隔离装置具有压缩空气导向套（9），所述的压缩空气导向套（9）套置在真空吸盘（6）的外侧，为直径大于真空吸盘最大直径的空心圆柱体，且压缩空气导向套（9）与真空吸盘（6）之间具有用以使压缩空气Ⅱ（7）穿过的间隙；所述压缩空气导向套空心圆柱体的上端开口；所述压缩空气导向套（9）的上端面与硅片（5）的下端面之间具有用于使压缩空气Ⅱ穿过的缝隙；用以将压缩空气Ⅰ由硅片下表面的中心吹向边缘的压缩空气Ⅱ（7）的入口位于压缩空气导向套（9）的下端面上。