[实用新型]一种增加光取出效率的LED芯片垂直结构有效
| 申请号： | 201220026767.8 | 申请日： | 2012-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN202474035U | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 阳丽;邸宁;刘卫平 | 申请（专利权）人： | 深圳新阳蓝光能源科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/58 | 分类号： | H01L33/58;H01L33/60;H01L33/64 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 李悦 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种增加光取出效率的LED芯片垂直结构，其包括外延层、设置在外延层顶部并设有椭圆开孔的反射罩、分别设置在外延层顶部和底部的正极欧姆电极和负极欧姆电极、设置在负极欧姆电极底部的蓝宝石基座、与椭圆开孔尺寸相匹配的椭球形微透镜；所述椭球形微透镜嵌入所述椭圆开孔中。本实用新型的增加光取出效率的LED芯片垂直结构通过设置椭球形微透镜配合与其匹配的反射罩，使增加光取出效率的LED芯片垂直结构所发出的光纤不受临界角的限制，光输出功率比传统的平面LED芯片垂直结构的光输出功率高很多，满足了使用者的使用需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增加 取出 效率 led 芯片 垂直 结构 | ||
【主权项】：
一种增加光取出效率的LED芯片垂直结构，其特征在于：其包括外延层、设置在外延层顶部并设有椭圆开孔的反射罩、分别设置在外延层顶部和底部的正极欧姆电极和负极欧姆电极、设置在负极欧姆电极底部的蓝宝石基座、与椭圆开孔尺寸相匹配的椭球形微透镜；所述椭球形微透镜嵌入所述椭圆开孔中。
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