[实用新型]无掩膜局域蚀刻装置、无掩膜局域蚀刻系统有效
| 申请号： | 201220032251.4 | 申请日： | 2012-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN202633359U | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | 张陆成 | 申请（专利权）人： | 张陆成 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京瑞恒信达知识产权代理事务所(普通合伙) 11382 | 代理人： | 苗青盛;王凤华 |
| 地址： | 414109 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本实用新型提供无掩膜局域蚀刻装置和无掩膜局域蚀刻系统，其包括：供液管，其向被蚀刻物的表面提供化学试剂；以及排液管，其将上述化学试剂与上述被蚀刻物反应后的物质从上述表面去除；其中，上述排液管和上述供液管中的一个为内管，另一个为外管，上述外管的蚀刻端口的形状与上述被蚀刻物的被蚀刻处的形貌和/或形状相对应。 | ||
| 搜索关键词： | 无掩膜 局域 蚀刻 装置 系统 | ||
【主权项】：
一种无掩膜局域蚀刻装置，其特征在于，包括：供液管，其向被蚀刻物的表面提供化学试剂；以及排液管，其将上述化学试剂与上述被蚀刻物反应后的物质从上述表面去除；其中，上述排液管和上述供液管中的一个为内管，另一个为外管，上述外管的蚀刻端口的形状与上述被蚀刻物的被蚀刻处的形貌和/或形状相对应。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
