[实用新型]一种制备掺铈溴化镧闪烁晶体的坩埚下降法生长设备有效
| 申请号： | 201220038888.4 | 申请日： | 2012-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN202465955U | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 吴少凡;叶宁;苏伟平 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C30B29/12 | 分类号： | C30B29/12;C30B11/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种制备掺铈溴化镧闪烁晶体的坩埚下降法生长设备，其特征在于：所所述生长设备在原料熔化阶段通过三温区独立控制，将上温区分为上a温区和上b温区，上温区温度比晶体的熔点高，且上b温区的温度略高于上a温区；所述生长设备中的晶体生长位置，预埋有透明石英光纤；通过测量透明光纤中的氦氖激光的光损耗变化情况，来确定自发成核的籽晶经过筛选后是否单晶化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 掺铈溴化镧 闪烁 晶体 坩埚 下降 生长 设备 | ||
【主权项】：
一种制备掺铈溴化镧闪烁晶体的坩埚下降法生长设备，其特征在于：所述生长设备在原料熔化阶段通过三温区独立控制，将上温区分为上a温区和上b温区，上温区温度比晶体的熔点高，且上b温区的温度略高于上a温区。
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