[实用新型]一种石墨烯纳米带场效应晶体管有效
| 申请号： | 201220047573.6 | 申请日： | 2012-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN203055916U | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 马中发;庄弈琪;张鹏;吴勇;张策;包军林 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710071 陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型的目的在于提供一种石墨烯纳米带场效应晶体管，包括衬底、沟道层、HfO2材质的底栅介质层、HfO2材质的顶栅介质层、源电极、漏电极和顶栅电极，所述沟道层为采用石墨烯纳米带制成的沟道层，所述顶栅介质层和底栅介质层分别位于沟道层的上方和下方，衬底位于底栅介质层的下方，源电极和漏电极分别位于沟道层的两端，顶栅电极位于顶栅介质层上，所述沟道层的宽度小于10nm。本实用新型的开关电流比高达107，沟道电子的迁移率达到300cm2/Vs。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 纳米 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种石墨烯纳米带场效应晶体管，其特征在于，包括衬底、沟道层、HfO2材质的底栅介质层、HfO2材质的顶栅介质层、源电极、漏电极和顶栅电极，所述沟道层为采用石墨烯纳米带制成的沟道层，所述顶栅介质层和底栅介质层分别位于沟道层的上方和下方，衬底位于底栅介质层的下方，源电极和漏电极分别位于沟道层的两端，顶栅电极位于顶栅介质层上，所述沟道层的宽度小于10nm。
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