[实用新型]参考电压电路有效
| 申请号： | 201220049332.5 | 申请日： | 2012-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN202433801U | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | 张美玲;宗强;郜小茹 | 申请（专利权）人： | 上海新进半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G05F3/26 | 分类号： | G05F3/26 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种参考电压电路，包括连接在耗尽型PMOS晶体管的漏极和增强型PMOS晶体管的源极之间的增强型PMOS晶体管组件，该增强型PMOS晶体管组件至少包括一个增强型PMOS晶体管，或者，包括：连接在耗尽型PMOS晶体管的源极上的电流镜和连接在所述电流镜和增强型PMOS晶体管之间的增强型PMOS晶体管组件，其中：所述增强型PMOS晶体管组件至少包括一个增强型PMOS晶体管。具体的，本实用新型公开的参考电压电路，增加包括至少一个增强型PMOS晶体管的增强型PMOS晶体管组件，其输出电压相应的增加了至少一个增强型PMOS晶体管的栅源电压。 | ||
| 搜索关键词： | 参考 电压 电路 | ||
【主权项】：
一种参考电压电路，其特征在于，包括：连接在耗尽型PMOS晶体管的漏极和增强型PMOS晶体管的源极之间的增强型PMOS晶体管组件，该增强型PMOS晶体管组件至少包括一个增强型PMOS晶体管。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海新进半导体制造有限公司，未经上海新进半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201220049332.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：CPU水冷式铝质散热器散热带
- 下一篇：一种无人直升机主舵机系统
