[实用新型]InGaAs薄膜有效
| 申请号： | 201220055399.X | 申请日： | 2012-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN202509157U | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 李国强;高芳亮 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B25/18;H01L31/0352;H01L31/0304 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 罗观祥 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了InGaAs薄膜，依次包括GaAs衬底和GaAs缓冲层、In0.6Ga0.4As大失配缓冲层、In0.3Ga0.7As外延薄膜。其中In0.6Ga0.4As大失配缓冲层和In0.3Ga0.7As外延层都可采用分子束外延生长或金属有机气相沉积技术制备，通过该大失配缓冲层降低由于失配应力造成的各类缺陷，所制备的In0.3Ga0.7As外延层缺陷密度较低，具有缓冲层结构简单、外延生长过程简便、In0.3Ga0.7As外延薄膜缺陷密度低、晶体质量高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | ingaas 薄膜 | ||
【主权项】：
InGaAs薄膜，其特征在于：依次包括GaAs衬底和GaAs缓冲层、In0.6Ga0.4As大失配缓冲层、In0.3Ga0.7As外延薄膜。
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