[实用新型]一种带隙基准电压源

摘要

本实用新型公开了一种带隙基准电压源，包括启动电路、核心带隙基准电路和高阶补偿电路，其中，核心带隙基准电路包括：PMOS管M1、M2、M3，NPN三极管Q1、Q2，以及电阻单元R1、RB1、RB2、RA；高阶补偿电路包括：PMOS管M4、M5、M6、M7、M8、M9、M10、M11，NPN三极管Q3、Q4、Q5、Q6、Q7、Q8，以及电阻单元R2、R3。本实用新型的带隙基准电压源采用了高阶补偿电路极大的降低温度系数，并且在电路中利用了电阻比例，因而不受电阻绝对值的影响，降低了电阻温度系数对输出量的影响。本实用新型的带隙基准电压源具有很高的电源抑制比，能够保证电路能抵抗供电电源的干扰。

主权项

一种带隙基准电压源，其特征在于，包括启动电路、核心带隙基准电路和高阶补偿电路，其中，核心带隙基准电路包括：PMOS管M1、M2、M3，NPN三极管Q1、Q2，以及电阻单元R1、RB1、RB2、RA；高阶补偿电路包括：PMOS管M4、M5、M6、M7、M8、M9、M10、M11，NPN三极管Q3、Q4、Q5、Q6、Q7、Q8，以及电阻单元R2、R3；具体连接关系如下：PMOS管M1、M2的源极接外部电源，PMOS管M1的栅极与漏极都连接到PMOS管M2管的栅极以及三极管Q1的集电极并且连接到高阶补偿电路PMOS管M9的栅极，M2管的漏极连接到M3管的栅极并且连接到三极管Q2的集电极，以及启动电路的输出端，M3管的漏极作为核心带隙基准电路的输出端连接到三极管Q1、Q2的基极，并且连接到启动电路的输入端，Q1的发射极连接到电阻单元RB1的一端与电阻单元RA一端，Q2的发射极连接到电阻单元RA的另一端，RB1的另一端连接到RB2一端，以及高阶补偿电路的PMOS管M7、M11管的漏极，RB2的另一端接地电位；PMOS管M4、M5、M6、M7、M8、M9、M10、M11的源极接外部电源，PMOS管M4的漏极连接到三极管Q3的集电极与基极，并且连接到三极管Q4的基极，PMOS管M5的漏极与栅极同时连接到了三极管Q6的集电极，三极管Q6的基极与PMOS管M6的栅极与漏极连接，并且与PMOS管M7、M8的栅极连接，三极管Q6的发射极与三极管Q4的发射极连接，三极管Q3的集电极与Q5的集电极和基极相连，三极管Q5的集电极接地电位，三极管Q4的集电极与电阻单元R2的一端相连，电阻单元R2的另一端接地电位；PMOS管M8的漏极与PMOS管M10的栅极和漏极相连，并且连接到三极管Q8的集电极，PMOS管M9管的漏极与三极管Q7的集电极与基极连接，并且与三极管Q8的基极连接，三极管Q7的发射极接地电位，三极管Q8的发射极与电阻单元R3的一段相连，电阻单元R3的另一端接地。