[实用新型]小角单晶硅片有效
| 申请号： | 201220062871.2 | 申请日： | 2012-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN202443977U | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 陈鹏;杨广宇;陈丽芳 | 申请（专利权）人： | 锦州佑华硅材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352 |
| 代理公司： | 锦州辽西专利事务所 21225 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 121000 辽宁省锦州市*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种小角单晶硅片，包括硅片本体，其特殊之处是：在硅片本体的四角设有斜倒角，所述的斜倒角高度为10mm，硅片本体的厚度为170μm。优点是：硅片本体四角的倒角为斜倒角，避免了滚磨机打磨时崩裂，省时省力；斜倒角的高度为10mm，硅片面积大，太阳能电池的发电效率高；硅片厚度为170μm，每公斤硅棒的出片数为44～45片，节约了生产原料，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 小角 单晶硅 | ||
【主权项】：
一种小角单晶硅片，包括硅片本体，其特征是：在硅片本体的四角设有斜倒角，所述的斜倒角高度为10mm，硅片本体的厚度为170μm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
