[实用新型]基于负微分电阻特性的混合SET/CMOS静态存储单元有效
| 申请号： | 201220068913.3 | 申请日： | 2012-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN202454287U | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 魏榕山;陈寿昌;陈锦锋;何明华 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | G11C11/417 | 分类号： | G11C11/417 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350002 福建省福州市铜*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种基于负微分电阻特性的混合SET/CMOS静态存储单元，其特征在于：包括一NMOS管、具有NDR特性的混合SET/CMOS电路NDR电路以及以SET/CMOS为基础的负微分电阻电路SET-MOS电路；该NDR电路和该SET-MOS电路串联，所述的NMOS管的漏极连接至该NDR电路和该SET-MOS电路之间。该结构的重点是利用SET与CMOS组成的混合电路产生两种变化方向相反的NDR特性，并利用该特性构成两个用于存储电压值的稳态点，实现存储的功能。本实用新型采用的基于负微分电阻特性的混合SET/CMOS静态存储单元极大的降低了电路的功耗，并提高了电路的集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 微分 电阻 特性 混合 set cmos 静态 存储 单元 | ||
【主权项】：
一种基于负微分电阻特性的混合SET/CMOS静态存储单元，其特征在于：包括一NMOS传输管、具有NDR特性的混合SET/CMOS电路NDR电路以及以SET/CMOS为基础的负微分电阻电路SET‑MOS电路；该NDR电路和该SET‑MOS电路串联，所述的NMOS传输管的漏极连接至该NDR电路和该SET‑MOS电路之间。
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