[实用新型]一种适用于等离子体加强化学气相沉积工艺设备的一体化真空腔体结构有效
申请号: | 201220072294.5 | 申请日: | 2012-02-29 |
公开(公告)号: | CN202643838U | 公开(公告)日: | 2013-01-02 |
发明(设计)人: | 季安;赖守亮 | 申请(专利权)人: | 北京普纳森电子科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44 |
代理公司: | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人: | 陈英 |
地址: | 100089 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型提供一种适用于等离子体加强化学气相沉积工艺设备的一体化真空腔体,其中的下电极和下部腔体是同一种材料、一体构成的一体化真空下腔体构件。本实用新型提供的适用于等离子体加强化学气相沉积工艺设备的一体化真空腔体,由于下部腔体和下电极为同样材料的一体化构件,能够解决热膨胀导致的密封问题,并且可以使得设备的结构简单,制造方便,降低成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 适用于 等离子体 加强 化学 沉积 工艺设备 一体化 空腔 结构 | ||
【主权项】:
一种适用于等离子体加强化学气相沉积工艺设备的一体化真空腔体,包括上部腔体、下部腔体,还包括同射频电源连接在一起的电极,其由设置在该上部腔体内的上电极和设置在该下部腔体内的下电极组成,下电极在电性上是接地的;在上腔体上设有工艺气体导入装置,其通过设置在上部腔体上的工艺气体导入口导入工艺腔室而进入上下电极之间,在上下电极之间设置气体喷淋头;在下部腔体上安装冷却装置;在下电极上设置加热器,其置于所述真空腔体构成的真空腔室的外面,在该真空腔体上设有设有抽真空口;其特征在于:其中的下电极和下部腔体是同一种材料、一体构成的一体化真空下腔体构件。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的