[实用新型]一种适用于等离子体加强化学气相沉积工艺设备的一体化真空腔体结构有效

专利信息
申请号: 201220072294.5 申请日: 2012-02-29
公开(公告)号: CN202643838U 公开(公告)日: 2013-01-02
发明(设计)人: 季安;赖守亮 申请(专利权)人: 北京普纳森电子科技有限公司
主分类号: C23C16/44 分类号: C23C16/44
代理公司: 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 代理人: 陈英
地址: 100089 北京市海*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型提供一种适用于等离子体加强化学气相沉积工艺设备的一体化真空腔体,其中的下电极和下部腔体是同一种材料、一体构成的一体化真空下腔体构件。本实用新型提供的适用于等离子体加强化学气相沉积工艺设备的一体化真空腔体,由于下部腔体和下电极为同样材料的一体化构件,能够解决热膨胀导致的密封问题,并且可以使得设备的结构简单,制造方便,降低成本。
搜索关键词: 一种 适用于 等离子体 加强 化学 沉积 工艺设备 一体化 空腔 结构
【主权项】:
一种适用于等离子体加强化学气相沉积工艺设备的一体化真空腔体,包括上部腔体、下部腔体,还包括同射频电源连接在一起的电极,其由设置在该上部腔体内的上电极和设置在该下部腔体内的下电极组成,下电极在电性上是接地的;在上腔体上设有工艺气体导入装置,其通过设置在上部腔体上的工艺气体导入口导入工艺腔室而进入上下电极之间,在上下电极之间设置气体喷淋头;在下部腔体上安装冷却装置;在下电极上设置加热器,其置于所述真空腔体构成的真空腔室的外面,在该真空腔体上设有设有抽真空口;其特征在于:其中的下电极和下部腔体是同一种材料、一体构成的一体化真空下腔体构件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京普纳森电子科技有限公司,未经北京普纳森电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201220072294.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top