[实用新型]3650纳米长波通红外滤光片有效

专利信息
申请号: 201220090978.8 申请日: 2012-03-12
公开(公告)号: CN202275173U 公开(公告)日: 2012-06-13
发明(设计)人: 吕晶 申请(专利权)人: 杭州麦乐克电子科技有限公司
主分类号: G02B5/20 分类号: G02B5/20;B32B9/04;B32B15/00
代理公司: 杭州金源通汇专利事务所(普通合伙) 33236 代理人: 唐迅
地址: 310000 浙江省杭州市西*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 实用新型公开了一种3650纳米长波通红外滤光片,包括以Si为原材料的基板,以Ge、SiO为第一镀膜层和以Ge、SiO为第二镀膜层,且所述基板设于第一镀膜层与第二镀膜层之间,其特征是第一镀膜层和第二镀膜层均匀由不同厚度的Ge和SiO交互排列而成。本实用新型得到的3650纳米长波通红外滤光片,通过上述的设计,实现了稳定性好,且能适用于物体的温度感应和测量,该滤光片得到半高点波长定位3650±1%纳米,能实现截止区透过率小于0.1%,透过区的透过率可大于90%,用于物体温度的测量和感应时,能有效的提高分辨能力和检测精度,更好的满足实际中的使用要求。
搜索关键词: 3650 纳米 长波 通红 滤光
【主权项】:
一种3650纳米长波通红外滤光片,包括以Si为原材料的基板(2),以Ge、SiO为第一镀膜层(1)和以Ge、SiO为第二镀膜层(3),且所述基板(2)设于第一镀膜层(1)与第二镀膜层(3)之间,其特征是所述第一镀膜层(1)由内向外依次排列包含有246nm厚度的SiO层、148nm厚度的Ge层、198nm厚度的SiO层、182nm厚度的Ge层、350nm厚度的SiO层、141nm厚度的Ge层、413nm厚度的SiO层、158nm厚度的Ge层、351nm厚度的SiO层、169nm厚度的Ge层、401nm厚度的SiO层、144nm厚度的Ge层、386nm厚度的SiO层、177nm厚度的Ge层、360nm厚度的SiO层、140nm厚度的Ge层、436nm厚度的SiO层、174nm厚度的Ge层和769nm厚度的SiO层;所述第二镀膜层(3)由内向外依次排列包含有250nm厚度的SiO层、89nm厚度的Ge层、140nm厚度的SiO层、142nm厚度的Ge层、165nm厚度的SiO层、107nm厚度的Ge层、272nm厚度的SiO层、80nm厚度的Ge层、299nm厚度的SiO层、77nm厚度的Ge层、191nm厚度的SiO层、209nm厚度的Ge层、117nm厚度的SiO层、184nm厚度的Ge层和685nm厚度的SiO层。
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