[实用新型]复合式氮化镓基半导体生长衬底有效
| 申请号： | 201220096939.9 | 申请日： | 2012-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN202549913U | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 庄家铭;王振祖;黄惠葵;范慧丽 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种复合式氮化镓基半导体生长衬底，其包括：基板；晶格缓冲层，形成于石英玻璃上，其由类钻石薄膜(Diamond-LikeCarbon，简称DLC)构成；晶格转换层，形成于晶格缓冲层，其为多晶结构，晶格系数介于GaN与DCL之间。利用DCL与氮化物的组合，克服了石英玻璃或金属基板等普通基板用于生长氮化镓基半导体材料存在的晶格不匹配及热失配等问题，从而降低了现有氮化镓基半导体生长衬底的成本，同时提高了其后续生长的氮化镓基半导体材料的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 氮化 半导体 生长 衬底 | ||
【主权项】：
复合式氮化镓基半导体生长衬底，其包含：一基板；一晶格缓冲层，形成于石英玻璃上，其由类钻石薄膜构成；一晶格转换层，形成于晶格缓冲层，其晶格系数介于GaN与类钻石薄膜之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安徽三安光电有限公司，未经安徽三安光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201220096939.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种电池的正极结构
- 下一篇：插拔式散热防误安装的光伏组件二极管及其接线盒
