[实用新型]一种不受NMOS和PMOS阈值电压差异的影响的电阻对电容充放电电路有效
| 申请号： | 201220103695.2 | 申请日： | 2012-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN202758266U | 公开（公告）日： | 2013-02-27 |
| 发明（设计）人： | 黄胜明 | 申请（专利权）人： | 常州博拓电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G05F3/26 | 分类号： | G05F3/26 |
| 代理公司： | 南京天华专利代理有限责任公司 32218 | 代理人： | 夏平 |
| 地址： | 213022 江苏省常州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种不受NMOS和PMOS阈值电压差异的影响的电阻对电容充放电电路，它包括电容C3、电阻R5、电阻R4、充电电流镜（1）和放电电流镜（2），电容C3、电阻R5和电阻R4的一端并联接电源，充电电流镜（1）与电阻R5并联，放电电流镜（2）与电阻R4串联，所述的充电电流镜（1）和放电电流镜（2）中的控制MOS管均为NMOS管。本实用新型中，用于充电的与电流镜连接的电阻和用于放电的与电流镜连接的电阻都连接到电源，这样直接与充电用的电阻相连的电流镜和直接与放电用的电阻相连的电流镜都由NMOS管组成，从而充电用的电流镜中的电流和放电用的电流镜中的电流只与NMOS管阈值电压有关，与PMOS管阈值电压无关。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 不受 nmos pmos 阈值 电压 差异 影响 电阻 电容 放电 电路 | ||
【主权项】：
一种不受NMOS和PMOS阈值电压差异的影响的电阻对电容充放电电路，它包括电容C3、电阻R5、电阻R4、充电电流镜（1）和放电电流镜（2），电容C3、电阻R5和电阻R4的一端并联接电源，充电电流镜（1）与电阻R5并联，放电电流镜（2）与电阻R4串联，其特征是所述的充电电流镜（1）和放电电流镜（2）中的控制MOS管均为NMOS管。
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