[实用新型]一种雪崩光电二极管有效
| 申请号： | 201220112236.0 | 申请日： | 2012-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN202487594U | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 洪荣墩;吴正云;陈主荣;蔡加法;陈厦平 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/107 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所 35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种雪崩光电二极管，涉及半导体光电二极管探测器件。提供一种具有超高紫外可见比的光控击穿电压亚微米柱紫外雪崩光电二极管。设有高掺杂N+型衬底，在高掺杂N+型衬底上表面设有N-层，在N-层上表面两侧设有高掺杂P+型电场强度调节层，在N-层的中间部分上表面设有N型雪崩倍增层，在N型雪崩倍增层的上表面设有P+型的欧姆接触层，在N型雪崩倍增层和P+型的欧姆接触层的两侧分别设有氧化层，在高掺杂N+型衬底的下表面设有正电极，在P+型的欧姆接触层的上表面设有金属负电极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 雪崩 光电二极管 | ||
【主权项】：
一种雪崩光电二极管，其特征在于设有高掺杂N+型衬底，在高掺杂N+型衬底上表面设有N‑层，在N‑层上表面两侧设有高掺杂P+型电场强度调节层，在N‑层的中间部分上表面设有N型雪崩倍增层，在N型雪崩倍增层的上表面设有P+型的欧姆接触层，在N型雪崩倍增层和P+型的欧姆接触层的两侧分别设有氧化层，在高掺杂N+型衬底的下表面设有正电极，在P+型的欧姆接触层的上表面设有金属负电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门大学，未经厦门大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201220112236.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：光伏斜轴回转跟踪装置
- 下一篇：一种复合二极管结构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
