[实用新型]制备铜铟镓硒薄膜的等离子体协助硒化装置有效
申请号: | 201220124624.0 | 申请日: | 2012-03-29 |
公开(公告)号: | CN202499904U | 公开(公告)日: | 2012-10-24 |
发明(设计)人: | 任宇航 | 申请(专利权)人: | 尚越光电科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/448;C23C16/452;C23C16/455;C23C16/30;H01L31/18 |
代理公司: | 北京市盛峰律师事务所 11337 | 代理人: | 赵建刚 |
地址: | 311121 浙江省杭州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型提供一种制备铜铟镓硒薄膜的等离子体协助硒化装置,包括:进气系统、热蒸发炉、等离子体发生装置、硒化炉和出气系统;所述热蒸发炉的腔体安装有第一石英管,所述等离子体发生装置的腔体安装有第二石英管,所述硒化炉的腔体安装有第三石英管,所述进气系统、所述第一石英管、所述第二石英管、所述第三石英管和所述出气系统顺次连通。因此,可以分别精确控制等离子体气源和硒化的参数,实现了高质量CIGS薄膜材料的低温生长,还具有硒化装置结构设计简单、易清洗、安全以及最终得到的CIGS薄膜的均匀性好的优点,因此适用于CIGS薄膜太阳能电池的工业化大规模生产。 | ||
搜索关键词: | 制备 铜铟镓硒 薄膜 等离子体 协助 化装 | ||
【主权项】:
一种制备铜铟镓硒薄膜的等离子体协助硒化装置,其特征在于,包括:进气系统、热蒸发炉、等离子体发生装置、硒化炉和出气系统;所述热蒸发炉的腔体安装有第一石英管,所述等离子体发生装置的腔体安装有第二石英管,所述硒化炉的腔体安装有第三石英管,所述进气系统、所述第一石英管、所述第二石英管、所述第三石英管和所述出气系统顺次连通。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的