[实用新型]制备铜铟镓硒薄膜的等离子体协助硒化装置有效

专利信息
申请号: 201220124624.0 申请日: 2012-03-29
公开(公告)号: CN202499904U 公开(公告)日: 2012-10-24
发明(设计)人: 任宇航 申请(专利权)人: 尚越光电科技有限公司
主分类号: C23C16/44 分类号: C23C16/44;C23C16/448;C23C16/452;C23C16/455;C23C16/30;H01L31/18
代理公司: 北京市盛峰律师事务所 11337 代理人: 赵建刚
地址: 311121 浙江省杭州*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 实用新型提供一种制备铜铟镓硒薄膜的等离子体协助硒化装置,包括:进气系统、热蒸发炉、等离子体发生装置、硒化炉和出气系统;所述热蒸发炉的腔体安装有第一石英管,所述等离子体发生装置的腔体安装有第二石英管,所述硒化炉的腔体安装有第三石英管,所述进气系统、所述第一石英管、所述第二石英管、所述第三石英管和所述出气系统顺次连通。因此,可以分别精确控制等离子体气源和硒化的参数,实现了高质量CIGS薄膜材料的低温生长,还具有硒化装置结构设计简单、易清洗、安全以及最终得到的CIGS薄膜的均匀性好的优点,因此适用于CIGS薄膜太阳能电池的工业化大规模生产。
搜索关键词: 制备 铜铟镓硒 薄膜 等离子体 协助 化装
【主权项】:
一种制备铜铟镓硒薄膜的等离子体协助硒化装置,其特征在于,包括:进气系统、热蒸发炉、等离子体发生装置、硒化炉和出气系统;所述热蒸发炉的腔体安装有第一石英管,所述等离子体发生装置的腔体安装有第二石英管,所述硒化炉的腔体安装有第三石英管,所述进气系统、所述第一石英管、所述第二石英管、所述第三石英管和所述出气系统顺次连通。
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