[实用新型]具有新型终端结构的超结半导体器件

摘要

本实用新型涉及一种具有新型终端结构的超结半导体器件，其包括位于半导体基板上的有源区及终端保护区，有源区内包括有源区超结结构，终端保护区内包括终端保护区超结结构；终端保护区超结结构包括第一导电类型第二柱及第二导电类型第二柱，第一导电类型第二柱与第二导电类型第二柱在第一导电类型漂移区内规则交替邻接排布，第二导电类型第二柱对应邻近有源区的端部与第二导电类型第二阱区相交叠，以通过第二导电类型第二阱区与第二导电类型第一阱区等电位连接。本实用新型耐压特性好，终端保护区面积小，制造工艺简单，能提高半导体器件的集成度，降低制造成本。

主权项

一种具有新型终端结构的超结半导体器件，在所述半导体器件的俯视平面上，包括位于半导体基板上的有源区及终端保护区，所述终端保护区环绕包围有源区；所述终端保护区内设有第二导电类型第二阱区，所述第二导电类型第二阱区与有源区内的第二导电类型第一阱区等电位连接；其特征是：所述有源区内包括有源区超结结构，终端保护区内包括终端保护区超结结构；在所述半导体器件的截面上，所述终端保护区超结结构位于半导体基板的第一导电类型漂移区内；终端保护区超结结构包括第一导电类型第二柱及第二导电类型第二柱，第一导电类型第二柱与第二导电类型第二柱在第一导电类型漂移区内规则交替邻接排布，第一导电类型第二柱与第二导电类型第二柱由半导体基板的第一主面垂直向下在第一导电类型漂移区内延伸；第二导电类型第二柱对应邻近有源区的端部与第二导电类型第二阱区相交叠，以通过第二导电类型第二阱区与第二导电类型第一阱区等电位连接。