[实用新型]屏蔽电极式沟槽功率MOSFET

摘要

一种屏蔽电极式沟槽功率金属氧化物半导体场效应晶体管由多个单位晶胞(unit cell)所组成，且这些单位晶胞的任意一个结构包含：基板层、外延层、基体接面、源极接面、绝缘层、栅极电极、源极电极与屏蔽电极(shield electrode)。其中，该外延层设置于该基板层的一侧，且该外延层具有栅极沟槽与源极沟槽，且该栅极沟槽与该源极沟槽中所对应设置的该栅极电极与该源极电极的至少其中一个又选择性地设置分离式的该屏蔽电极。故借由本实用新型的屏蔽电极式沟槽功率金属氧化物半导体场效应晶体管，可用以达到降低漏电流及加强雪崩能量的耐受度。

主权项

一种屏蔽电极式沟槽功率MOSFET，其特征在于，由多个单位晶胞所组成，且这些单位晶胞的任意一个结构包含：基板层；外延层，设置于该基板层的一侧，该外延层具有栅极沟槽与源极沟槽，且该栅极沟槽与该源极沟槽的至少其中一个的底部接近该基板层；基体接面，设置于该外延层的一侧，且该基体接面在该源极沟槽的两侧边形成重掺杂区；源极接面，设置于该基体接面的一侧与该栅极沟槽的两侧边；绝缘层，设置于该源极接面的一侧，且该绝缘层填入该栅极沟槽与该源极沟槽；栅极电极，通过该绝缘层内嵌设置于该栅极沟槽；源极电极，通过该绝缘层内嵌设置于该源极沟槽；以及屏蔽电极，内嵌于该绝缘层且分离地设置于该栅极电极与该源极电极的至少其中一个的底部。