[实用新型]内嵌电极的沟槽式单一屏蔽井区功率MOSFET有效
| 申请号： | 201220127081.8 | 申请日： | 2012-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN202695452U | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | 穆罕默德·恩·达维希;曾军;苏世宗 | 申请（专利权）人： | 马克斯半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/41;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市浩天知识产权代理事务所 11276 | 代理人： | 刘云贵 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种内嵌电极的沟槽式单一屏蔽井区功率金属氧化物半导体场效应晶体管，其由多个单位晶胞所组成，且这些单位晶胞的任意一个的结构包含：基板、外延层、基体接面、源极接面、绝缘层、栅极电极、源极电极与屏蔽井区。其中，该外延层设置于该基板的一侧，且该外延层具有栅极沟槽与源极沟槽，而该源极沟槽的底部设置该屏蔽井区或该源极沟槽的四周边缘包覆该屏蔽井区。故借由本实用新型的结构可用以达到降低漏电流及加强雪崩能量耐受度的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 沟槽 单一 屏蔽 功率 mosfet | ||
【主权项】：
一种内嵌电极的沟槽式单一屏蔽井区功率MOSFET，其特征在于，该晶体管由多个单位晶胞所组成，且这些单位晶胞的任意一个的结构包含：基板；外延层，设置于该基板的一侧，且该外延层具有栅极沟槽与源极沟槽；基体接面，设置于该外延层的一侧，且该基体接面具有重掺杂区，且该重掺杂区延伸植入至该外延层；源极接面，设置于该基体接面的一侧，且该源极接面设置于该栅极沟槽两侧；绝缘层，设置于该源极接面的一侧，且该绝缘层填入该栅极沟槽与该源极沟槽；内嵌栅极电极，借由该绝缘层内嵌设置于该栅极沟槽；以及屏蔽井区，植入于该外延层中，且该屏蔽井区设置于该源极沟槽底部或该屏蔽井区包覆该源极沟槽。
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