[实用新型]半导体发光器件有效
申请号: | 201220129138.8 | 申请日: | 2012-03-31 |
公开(公告)号: | CN202564428U | 公开(公告)日: | 2012-11-28 |
发明(设计)人: | 林朝晖;王树林;闫占彪;陈元金;徐国俊 | 申请(专利权)人: | 泉州市博泰半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/02 | 分类号: | H01L33/02;H01L33/42;H01L33/64 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 362000 福建省泉州市*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种半导体发光器件,包括经图形化工艺形成的、至少包括彼此绝缘的第一区域和第二区域的导电导热基板;和位于所述第一区域表面的导电导热衬底;以及位于所述导电导热衬底表面的垂直结构LED芯片;在所述LED芯片表面的至少部分区域覆盖有高导电导热材料层,且所述高导电导热材料层延伸至所述LED芯片和导电导热衬底的侧面以及所述第二区域的表面,为LED芯片提供将热量导向基板的导热和/或导电通道。本实用新型的半导体发光器件LED能够使芯片在工作过程中产生的热量更快的散发出去,从而提高芯片的性能和寿命。 | ||
搜索关键词: | 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】:
一种半导体发光器件,其特征在于:包括经图形化工艺形成的、至少包括彼此绝缘的第一区域和第二区域的导电导热基板;和位于所述第一区域表面的导电导热衬底;以及位于所述导电导热衬底表面的垂直结构LED芯片;在所述LED芯片表面的至少部分区域覆盖有高导电导热材料层,且所述高导电导热材料层延伸至所述LED芯片和导电导热衬底的侧面以及所述第二区域的表面,为LED芯片提供将热量导向基板的导热和/或导电通道。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于泉州市博泰半导体科技有限公司,未经泉州市博泰半导体科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201220129138.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。