[实用新型]基于自旋重取向的高灵敏度薄膜微型温度传感器有效
| 申请号： | 201220130543.1 | 申请日： | 2012-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN202582773U | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 游龙;刘洪鲜;邓永兵;刘海洲;陈建华 | 申请（专利权）人： | 郑州方兴机械电子有限公司 |
| 主分类号： | G01K7/16 | 分类号： | G01K7/16 |
| 代理公司： | 北京鑫浩联德专利代理事务所(普通合伙) 11380 | 代理人： | 李荷香 |
| 地址： | 450001 河南省郑州*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种基于自旋重取向的高灵敏度薄膜微型温度传感器，它包括硅基片，硅基片上依次设置有底下层、强磁性层、绝缘层、自由层和保护层，其中底下层和保护层均为金属元素制成的电极，强磁性层是由薄膜电阻器制成，绝缘层为MgO层或者Cu层，自由层是由高垂直磁晶各向异性的Co/Pt多层膜与高自旋极化率的平面磁各向异性CoFeB交换耦合膜组成，或者自由层是由高垂直磁各向异性膜Co/Ni多层膜组成；本实用新型具有热响应速度快、便于集成、高空间分辨率、体积小、易于携带、机械性能好的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 自旋 取向 灵敏度 薄膜 微型 温度传感器 | ||
【主权项】：
一种基于自旋重取向的高灵敏度薄膜微型温度传感器，包括硅基片，其特征在于：所述的硅基片上依次设置有底下层、强磁性层、绝缘层、自由层和保护层，其中所述的底下层和保护层均为金属元素制成的电极，所述的强磁性层是由薄膜电阻器制成，所述的绝缘层为MgO层或者Cu层，所述的自由层是由高垂直磁晶各向异性的Co/Pt多层膜与高自旋极化率的平面磁各向异性CoFeB交换耦合膜组成。
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