[实用新型]单晶硅太阳能电池组件有效
| 申请号： | 201220136944.8 | 申请日： | 2012-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN202503010U | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 夏天;柏祎山 | 申请（专利权）人： | 武汉兴隆源太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/048 | 分类号： | H01L31/048;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 邓寅杰 |
| 地址： | 430040 湖北省武汉市东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及太阳能电池技术领域，尤其是单晶硅太阳能电池组件，其包括太阳能单晶电池片，其不同之处在于，所述太阳能单晶电池片的上表面镀有折射率为2.6～3.0的第一层氮化硅减反射膜，第一层氮化硅减反射膜表面镀有折射率为1.9～2.4的第二层氮化硅减反射膜，所述第一层氮化硅减反射膜的厚度为30～44纳米，所述第二层氮化硅减反射膜的厚度为35～70纳米，第二层氮化硅减反射膜向上依次设置有EVA胶膜、钢化玻璃，太阳能单晶电池片的底部依次设置有EVA胶膜、背板。本实用新型采用了双层氮化硅减反射膜设计，提高了太阳能电池表面钝化效果，降低太阳能电池表面反射率，而且封装后不会因折射率不匹配而造成的光学损失。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 太阳能电池 组件 | ||
【主权项】：
单晶硅太阳能电池组件，其包括太阳能单晶电池片，其特征在于，所述太阳能单晶电池片的上表面镀有折射率为2.6～3.0的第一层氮化硅减反射膜，第一层氮化硅减反射膜表面镀有折射率为1.9～2.4的第二层氮化硅减反射膜，所述第一层氮化硅减反射膜的厚度为30～44纳米，所述第二层氮化硅减反射膜的厚度为35～70纳米，第二层氮化硅减反射膜向上依次设置有EVA胶膜、钢化玻璃，太阳能单晶电池片的底部依次设置有EVA胶膜、背板。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉兴隆源太阳能科技有限公司，未经武汉兴隆源太阳能科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201220136944.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种电缆支架异形橡胶护套
- 下一篇：具隐藏式盲孔之显示面板结构及其制作方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
