[实用新型]一种基于氧化铋薄膜的电阻式随机读取存储器有效
申请号: | 201220139116.X | 申请日: | 2012-04-05 |
公开(公告)号: | CN202523771U | 公开(公告)日: | 2012-11-07 |
发明(设计)人: | 李红霞;季振国;席俊华 | 申请(专利权)人: | 杭州电子科技大学 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00;G11C13/00 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 杜军 |
地址: | 310018 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种基于氧化铋薄膜的电阻式随机读取存储器。现有的电阻式存储器的读写寿命以及稳定性较差。本实用新型存储器由重掺硅衬底、氧化铋薄膜、金属薄膜电极构成,氧化铋薄膜位于重掺硅衬底、金属薄膜电极之间,重掺硅衬底作为电阻式随机读取存储器的下电极,金属薄膜电极作为电阻式随机读取存储器的上电极。本实用新型可简化存储器的制作工艺,并能很好地与硅集成电路工艺相兼容。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 氧化 薄膜 电阻 随机 读取 存储器 | ||
【主权项】:
一种基于氧化铋薄膜的电阻式随机读取存储器,其特征在于:该存储器由重掺硅衬底、氧化铋薄膜、金属薄膜电极构成,氧化铋薄膜位于重掺硅衬底、金属薄膜电极之间,重掺硅衬底作为电阻式随机读取存储器的下电极,金属薄膜电极作为电阻式随机读取存储器的上电极。
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