[实用新型]单晶硅/非晶硅复合双结全电极太阳能电池有效
申请号: | 201220140047.4 | 申请日: | 2012-04-05 |
公开(公告)号: | CN202996851U | 公开(公告)日: | 2013-06-12 |
发明(设计)人: | 高永祥;林长华 | 申请(专利权)人: | 高永祥;林长华 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/0216 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 510000 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型克服了继续提高太阳能电池光电转换率的困难,提供一种单晶硅/非晶硅复合双结全电极太阳能电池。它应用现有成熟技术,采用透明的TCO电极以及用单晶硅和非晶硅材料设置两个子电池复合结构,充分利用了光子的辐射能量。本实用新型能显著提高单晶硅或多晶硅太阳能电池的光电转换率以及显著降低电池内阻提高负载能力而又不显著增加生产成本,而且性能稳定、无论制造和使用环节均无有毒有害物质产生。 | ||
搜索关键词: | 单晶硅 非晶硅 复合 双结全 电极 太阳能电池 | ||
【主权项】:
单晶硅/非晶硅复合双结全电极太阳能电池,其特征是用单晶硅和非晶硅材料设置两个子电池和三个电极,其结构从上至下依次为:减反射层(1),TCO电极(2),单晶硅n层(3),p‑n结(4),单晶硅p层(5),公共电极(6),非晶硅n层(7),i层(8),非晶硅p层(9),底电极(10);或者设置两个子电池和两个电极,其结构从上至下依次为:减反射层(1),TCO电极(2),单晶硅n层(3),p‑n结(4),单晶硅p层(5),非晶硅n层(7),i层(8),非晶硅p层(9),底电极(10)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的