[实用新型]半导体圆片喷液蚀刻系统有效
| 申请号： | 201220147127.2 | 申请日： | 2012-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN202502983U | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 丁万春 | 申请（专利权）人： | 南通富士通微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;B05B13/02;B05B1/30 |
| 代理公司： | 北京市惠诚律师事务所 11353 | 代理人： | 雷志刚;潘士霖 |
| 地址： | 226006 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种半导体圆片喷液蚀刻系统，包括：载台装置，用于在半导体圆片的待蚀刻表面朝下时固定半导体圆片并控制半导体圆片旋转；以及喷射装置，放置在载台装置的下方，喷射装置包括多个喷嘴和多个控制件，各喷嘴用于向上向半导体圆片的待蚀刻表面的对应位置喷射蚀刻液，多个控制件与多个喷嘴一一对应，每个控制件用于控制与该控制件对应的喷嘴的蚀刻液喷射流量。本实用新型的半导体圆片喷液蚀刻系统具有良好的蚀刻均匀度并能够改善产品质量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 圆片喷液 蚀刻 系统 | ||
【主权项】：
一种半导体圆片喷液蚀刻系统，其特征在于，包括：载台装置，用于在半导体圆片的待蚀刻表面朝下时固定所述半导体圆片并控制所述半导体圆片旋转；以及喷射装置，放置在所述载台装置的下方，所述喷射装置包括多个喷嘴和多个控制件，各喷嘴用于向上向所述半导体圆片的待蚀刻表面的对应位置喷射蚀刻液，所述多个控制件与所述多个喷嘴一一对应，每个控制件用于控制与该控制件对应的喷嘴的蚀刻液喷射流量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
