[实用新型]一种太赫兹频段可调多带吸波体有效

专利信息
申请号: 201220160081.8 申请日: 2012-04-16
公开(公告)号: CN202631109U 公开(公告)日: 2012-12-26
发明(设计)人: 胡放荣;李智;熊显名;张文涛;牛军浩;彭智勇 申请(专利权)人: 桂林电子科技大学
主分类号: G01J3/02 分类号: G01J3/02
代理公司: 桂林市持衡专利商标事务所有限公司 45107 代理人: 陈跃琳
地址: 541004 广*** 国省代码: 广西;45
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型公开一种太赫兹频段可调多带吸波体,包括至少4个呈矩阵排列的吸波体单元,其中每个吸波体单元均主要由含硅基体、金属层、介质体、金属十字叉和空心田字框组成。金属层的上下表面分别与介质体的下表面和含硅基体的上表面相贴。空心田字框水平贴附于介质体的上表面,金属十字叉则水平嵌设在介质体的中部,空心田字框所处平面与金属十字叉所处平面相平行。金属十字叉的几何中心与空心田字框的几何中心重合,而且构成金属十字叉的2条金属条的中心轴线与构成空心田字框的内部4条金属叉齿的中心轴线重合。本实用新型能够有效提高吸收峰数量,并可对各个吸收峰位置的精确调控。
搜索关键词: 一种 赫兹 频段 可调 多带吸波体
【主权项】:
一种太赫兹频段可调多带吸波体,其特征在于:包括至少4个呈矩阵排列的吸波体单元,其中每个吸波体单元均主要由含硅基体(1)、金属层(2)、介质体(3)、金属十字叉(4)和空心田字框(5)组成;金属层(2)的上下表面分别与介质体(3)的下表面和含硅基体(1)的上表面相贴,其中介质体(3)位于金属层(2)的正上方、含硅基体(1)位于金属层(2)的正下方;空心田字框(5)水平贴附于介质体(3)的上表面,金属十字叉(4)则水平嵌设在介质体(3)的中部,空心田字框(5)所处平面与金属十字叉(4)所处平面相平行;金属十字叉(4)的几何中心与空心田字框(5)的几何中心重合,而且构成金属十字叉(4)的2条金属条(4‑1)的中心轴线与构成空心田字框(5)的内部4条金属叉齿(5‑1)的中心轴线重合。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于桂林电子科技大学,未经桂林电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201220160081.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top