[实用新型]基于自组装分子膜保护的厚膜电路有效
| 申请号： | 201220162909.3 | 申请日： | 2012-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN202678312U | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 白云峰 | 申请（专利权）人： | 东莞市简创电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/01 | 分类号： | H01L27/01;H01L23/28 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市万江区金泰社*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型的基于自组装分子膜保护的厚膜电路，包括基片，及设置在基片上表面的正面电极，及设置在基片上的保护层，及设置在正面电极上表面的保护膜；所述的保护膜是一层稀薄且致密的分子膜。由于电极部分采用自组装分子膜进行了有效保护。该分子保护膜是一层稀薄、致密且不被肉眼所发现的透明分子膜，该分子膜不改变厚膜电路电极原有的电气性能和外观，其抗氧化、抗硫化能力大大提升，所获得的厚膜电路质量稳定、性能较可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 组装 分子 保护 电路 | ||
【主权项】：
一种基于自组装分子膜保护的厚膜电路，其特征在于：包括基片，及设置在基片上表面的正面电极，及设置在基片上的保护层，及设置在正面电极上表面的保护膜；所述的保护膜是一层稀薄且致密的分子膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
