[实用新型]一种半导体器件有效
| 申请号： | 201220174473.X | 申请日： | 2012-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN202601610U | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 唐纳德·迪斯尼 | 申请（专利权）人： | 成都芯源系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/31 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：引线框架；第一垂直型晶体管芯片，包括具有第一源极电极、第一漏极电极和第一栅极电极的第一垂直型晶体管，其中第一垂直型晶体管芯片附着至引线框架，第一源极电极电耦接至引线框架；第二垂直型晶体管芯片，包括具有第二源极电极、第二漏极电极和第二栅极电极的第二垂直型晶体管，其中第二垂直型晶体管芯片堆叠在第一垂直型晶体管芯片上，第二源极电极电耦接至第一垂直型晶体管的第一漏极电极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 | ||
【主权项】：
半导体器件，其特征在于，包括：引线框架；第一垂直型晶体管芯片，包括具有第一源极电极、第一漏极电极和第一栅极电极的第一垂直型晶体管，其中第一垂直型晶体管芯片附着至引线框架，第一源极电极电耦接至引线框架；以及第二垂直型晶体管芯片，包括具有第二源极电极、第二漏极电极和第二栅极电极的第二垂直型晶体管，其中第二垂直型晶体管芯片堆叠在第一垂直型晶体管芯片上，第二源极电极电耦接至第一垂直型晶体管的第一漏极电极。
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