[实用新型]一种用单电感实现同步降压充电与升压供电的电路架构

摘要

一种用单电感实现同步降压充电与升压供电的电路架构，涉及一种备用电源。设有3个与外部连接的端口，4个MOS场效应晶体管M1、M2、M3、M4，1个电感L，3个电容C1、C2、Cout，1个电流采样电阻Rs和7个节点1、2、3、4、5、6、7；3个与外部连接的端口为输入端口Vin、输出端口Vout和BAT端口，输入端口Vin与外部适配器或USB的输出相连，所述输出端口Vout与外部用电设备的电源输入相连，所述BAT端口外接可充电电池的正极。所述M1可由二极管替代。克服了线性充电效率低、无法实现快速充电以及“后备电源”的系统板制造费用昂贵且无法实现小型化的弊端。

主权项

一种用单电感实现同步降压充电与升压供电的电路架构，其特征在于设有3个与外部连接的端口，4个MOS场效应晶体管(M1)、(M2)、(M3)、(M4)，1个电感(L)，3个电容(C1)、(C2)、(Cout)，1个电流采样电阻(Rs)和7个节点(1)、(2)、(3)、(4)、(5)、(6)、(7)；所述3个与外部连接的端口为输入端口(Vin)、输出端口(Vout)和BAT端口，所述输入端口(Vin)与外部适配器或USB的输出相连，所述输出端口(Vout)与外部用电设备的电源输入相连，所述BAT端口外接可充电电池的正极；所述MOS场效应晶体管(M1)的漏极接节点(5)，MOS场效应晶体管(M1)的源极接节点(1)，MOS场效应晶体管(M1)的栅极接节点(G1)，所述节点(G1)外接控制电路；所述MOS场效应晶体管(M2)的漏极接节点(7)，MOS场效应晶体管(M2)的源极接节点(1)，MOS场效应晶体管(M2)的栅极接节点(G2)，所述节点(G2)外接控制电路；所述MOS场效应晶体管(M3)的漏极接节点(2)，MOS场效应晶体管(M3)的源极接节点(1)，MOS场效应晶体管(M3)的栅极外接控制电路；所述MOS场效应晶体管(M4)的漏极接节点(2)，MOS场效应晶体管(M4)的源极接节点(4)，MOS场效应晶体管(M4)的栅极外接控制电路；在节点(1)和节点(G1)之间设有电阻(R1)，在节点(1)和节点(G2)之间设有电阻(R2)；所述电流采样电阻(Rs)的两端分别与节点(3)和节点(6)相连；所述电容(C1)的正极接节点(1)，电容(C1)的负极接节点(4)；所述电容(C2)的正极接节点(3)，电容(C2)的负极接节点(4)；所述电容(Cout)的正端接节点(7)，电容(Cout)的负端接节点(4)；所述电感(L)的两端分别接节点(2)和节点(3)。