[实用新型]一种分布反馈激光器阵列有效
| 申请号： | 201220191666.6 | 申请日： | 2012-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN202651615U | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 孟剑俊;武林;王磊;何建军 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12;H01S5/0625 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 林怀禹 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种分布反馈激光器阵列。它由制作在同一块半导体外延片上的多个平行排列的分布反馈激光器组成。半导体外延片至少包括上包层、有源层、间隔层、折射率控制层、下包层和衬底。有源层或者折射率控制层内含有形成分布反馈的布拉格光栅。折射率控制层之上各层形成分布反馈激光器的上台面。折射率控制层形成分布反馈激光器的导波结构，阵列中每个分布反馈激光器导波结构宽度不同。该分布反馈激光器阵列中的任一个分布反馈激光器由上电极、上台面、导波结构、衬底和下电极组成。不同宽度的导波结构实现每个分布反馈激光器在拥有相同周期的布拉格光栅的同时使激射波长有一定的偏移。该分布反馈激光器阵列可用作多波长激光器和可调谐激光器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 分布 反馈 激光器 阵列 | ||
【主权项】：
一种分布反馈激光器阵列，其特征在于：它是由制作在同一块半导体外延片（1）上的多个平行排列的分布反馈激光器（2）构成；半导体外延片(1) 从上至下依次包括上包层(11)、有源层(12) 、间隔层（14）、折射率控制层（13）、下包层(15)和衬底(16)，用于形成分布反馈的布拉格光栅(121)设置在有源层(12)或者折射率控制层（13）中；布拉格光栅（121）的周期在整块半导体外延片（1）上保持一致；所有分布反馈激光器（2）与布拉格光栅(121)垂直；上包层（11）、有源层（12）和间隔层（14）构成分布反馈激光器（2）的上台面（21）；折射率控制层（13）形成导波结构（22）；分布反馈激光器阵列中任意一个分布反馈激光器（2）均由一个上台面(21)和其所对应的导波结构(22)以及下包层（15）、衬底(16)和上电极(23)、下电极(24)共同构成。
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