[实用新型]一种基于绝缘体上硅的高压隔离结构

摘要

一种基于绝缘体上硅的高压隔离结构，包括：在绝缘体上硅结构中的N型外延层上设有表面钝化层，N型外延层中设有高压电路区域、多深槽隔离结构以及低压电路区域，高压电路区域被多深槽隔离结构所包围，所述多深槽隔离结构由2～20个深槽隔离结构组成，其特征在于，在表面钝化层上设有高阻多晶硅场板，在高压电路区域和低压电路区域的N型外延层上均电连接有电极接触孔，在各个相邻的深槽隔离结构之间的N型外延层及各个深槽隔离结构上均电连接有中间电极接触孔，所述高阻多晶硅场板的两端分别与高、低压区中的电极接触孔电连接，并且，所述高阻多晶硅场板按照由内向外的顺序依次与各个电极接触孔电连接。

主权项

一种基于绝缘体上硅的高压隔离结构，包括：P型衬底(10)，在P型衬底(10)上设有埋氧层(11)，在埋氧层(11)上方是N型外延层(12)，在N型外延层(12)上设有表面钝化层(13)，N型外延层(12)中设有高压电路区域(21)和低压电路区域(23)，高压电路区域(21)被多深槽隔离结构(50)所包围，低压电路区域(23)位于多深槽隔离结构(50)外侧，所述多深槽隔离结构(50)由2～20个深槽隔离结构组成，其特征在于，在表面钝化层(13)上设有高阻多晶硅场板，在高压电路区域(21)和低压电路区域(23)的N型外延层上分别电连接有高压区电极接触孔和低压区电极接触孔，在各个相邻的深槽隔离结构之间的N型外延层及各个深槽隔离结构上分别电连接有电极接触孔，所述高阻多晶硅场板的一端与高压区电极接触孔电连接，所述高阻多晶硅场板的另一端与低压区电极接触孔电连接，并且，所述高阻多晶硅场板按照由内向外的顺序依次与各个电极接触孔电连接。