[实用新型]周期性开口式申字形结构的太赫兹波吸收器有效

专利信息
申请号: 201220205250.5 申请日: 2012-05-09
公开(公告)号: CN202662297U 公开(公告)日: 2013-01-09
发明(设计)人: 任荣凯;李九生;孙超 申请(专利权)人: 中国计量学院
主分类号: G12B17/02 分类号: G12B17/02
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 张法高
地址: 310018 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 实用新型公开了一种周期性开口式申字形结构的太赫兹波吸收器。它包括信号输入端、开口式双环形金属传输层、基体、金属层结构;开口式申字形金属传输层与基体相连,开口式申字形金属传输层上包括N×N个开口式申字形金属周期单元,N为自然数,开口式申字形金属周期单元包括一个开口式申字形结构;信号从信号输入端输入,依次经过开口式申字形金属传输层、基体至金属层结构实现对太赫兹波的吸收作用。本实用新型具有结构简单、尺寸小、体积小、重量轻、节约材料、便于制作等优点。本实用新型公开了一种周期性开口式申字形结构的太赫兹波吸收器。
搜索关键词: 周期性 开口 字形 结构 赫兹 吸收
【主权项】:
一种周期性开口式申字形结构的太赫兹波吸收器,其特征在于包括信号输入端(1)、开口式申字形金属传输层(2)、基体(3)、金属层结构(4);开口式申字形金属传输层(2)与基体(3)相连,开口式申字形金属传输层(2)上包括N×N个开口式申字形金属周期单元(5),N为自然数,开口式申字形金属周期单元(5)包括一个开口式申字形结构(6);信号从信号输入端(1)输入,依次经过申字形金属传输层(2)、基体(3)至金属层结构(4)实现对太赫兹波的吸收作用。
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