[实用新型]一种闭合磁场非平衡磁控溅射镀膜设备有效
申请号: | 201220209547.9 | 申请日: | 2012-05-09 |
公开(公告)号: | CN202643826U | 公开(公告)日: | 2013-01-02 |
发明(设计)人: | 金广福 | 申请(专利权)人: | 爱发科中北真空(沈阳)有限公司 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/00 |
代理公司: | 沈阳东大专利代理有限公司 21109 | 代理人: | 李运萍 |
地址: | 110168 辽宁*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 一种闭合磁场非平衡磁控溅射镀膜设备,主要应用于高离化率的反应磁控溅射镀膜领域。本实用新型包括镀膜室、镀膜室门、工件转架、圆柱磁控靶、充气系统、靶挡板及真空抽气口,镀膜室门通过铰链固定在镀膜室上,在镀膜室的外壁上设有真空抽气口,在镀膜室的下盖上设有工件转架,在镀膜室的上盖上设有圆柱磁控靶和充气系统,工件转架与偏压电源相连接;其特点是圆柱磁控靶的设置数量为大于或等于4的偶数个,圆柱磁控靶磁铁的磁极面向被镀工件设置,并使各圆柱磁控靶之间形成闭合的磁回路;奇数圆柱磁控靶的磁极是N-S-N,偶数圆柱磁控靶的磁极是S-N-S,或者奇数圆柱磁控靶的磁极是S-N-S,偶数圆柱磁控靶的磁极是N-S-N。 | ||
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【主权项】:
一种闭合磁场非平衡磁控溅射镀膜设备,包括镀膜室、镀膜室门、工件转架、圆柱磁控靶、充气系统、靶挡板及真空抽气口,所述镀膜室门通过铰链固定在镀膜室上,在所述镀膜室的外壁上设有真空抽气口,在镀膜室的下盖上设有工件转架,在镀膜室的上盖上设有圆柱磁控靶和充气系统,所述工件转架与偏压电源相连接;其特征在于所述圆柱磁控靶的设置数量为大于或等于4的偶数个,圆柱磁控靶磁铁的磁极面向被镀工件设置,并使各圆柱磁控靶之间形成闭合的磁回路;其中,奇数圆柱磁控靶磁铁的磁极是N‑S‑N,偶数圆柱磁控靶磁铁的磁极是S‑N‑S,或者奇数圆柱磁控靶磁铁的磁极是S‑N‑S,偶数圆柱磁控靶磁铁的磁极是N‑S‑N。
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