[实用新型]基于键合晶体的被动调Q激光器有效

专利信息
申请号: 201220220851.3 申请日: 2012-05-16
公开(公告)号: CN202695968U 公开(公告)日: 2013-01-23
发明(设计)人: 朱思祁;陈振强;王苏娥;江炜;陈在俊;张俊;王春浩 申请(专利权)人: 暨南大学
主分类号: H01S3/11 分类号: H01S3/11;H01S3/042
代理公司: 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 代理人: 陈燕娴
地址: 510632 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型公开了一种基于键合晶体的被动调Q激光器,包括谐振腔,置于谐振腔内的键合晶体,所述谐振腔为直腔式结构的谐振腔,所述谐振腔包括设置与前端的全反镜、侧面泵浦系统以及后端的耦合输出镜,所述全反镜、侧面泵浦系统以及后端耦合输出镜设置在同一轴线上。本实用新型采用Nd:YAG晶体、Cr4+:YAG晶体及不掺杂YAG晶体进行热键合而成的特殊晶体组件作为激光晶体及调Q晶体,并通过使用808nm半导体激光器侧泵系统对其进行泵浦而获得1064nm脉冲激光输出。与传统系统相比,采用上述技术方案可大大简化其系统结构,降低成本,并能实现高平均功率及峰值功率的巨脉冲激光输出,可广泛应用于激光加工、激光医疗、激光变频及科学研究领域。
搜索关键词: 基于 晶体 被动 激光器
【主权项】:
一种基于键合晶体的被动调Q激光器,包括谐振腔,其特征在于,所述谐振腔为直腔式结构的谐振腔,所述谐振腔包括设置于前端的全反镜、侧面泵浦系统以及后端的耦合输出镜,所述全反镜、侧面泵浦系统以及耦合输出镜设置在同一轴线上,侧面泵浦系统中置有键合晶体。
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