[实用新型]一种非晶硅薄膜叠层电池有效
申请号: | 201220238547.1 | 申请日: | 2012-05-25 |
公开(公告)号: | CN202585493U | 公开(公告)日: | 2012-12-05 |
发明(设计)人: | 邓文忠 | 申请(专利权)人: | 浙江慈能光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/076 | 分类号: | H01L31/076 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 315336 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种非晶硅薄膜叠层电池,所述电池包括基板、透明导电膜和多层非晶硅薄膜,所述基板上依次设有透明导电膜和多层非晶硅薄膜。本实用新型的电池使用多层非晶硅PIN层结构,使太阳光在400-1100纳米范围内的光都能很好的吸收,提高其转换效率。由于每层非晶硅层的禁带宽度不一样,使得每一层吸收不同波长的太阳光;再由于每层都比较薄,内部缺陷少,也使得非晶硅在太阳光长期照射时的衰减率降低,衰减率小于15%,该电池具有高吸收率,高转化率,低衰减率、低成本等效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 非晶硅 薄膜 电池 | ||
【主权项】:
一种非晶硅薄膜叠层电池,其特征在于,所述电池包括基板、透明导电膜和多层非晶硅薄膜,所述基板上依次设有透明导电膜和多层非晶硅薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的